本發明公開了一種多晶硅片的鈍化處理方法,具有如下步驟:a、將多晶硅片背面拋光;b、將多晶硅片背面用化學試劑清洗后,淋干水滴;c、低溫處理,在80~90℃的溫度下將硅片烘干,烘干時間為一小時;d、使用PECVD法對多晶硅片進行等離子氧化鋁薄膜的沉積,沉積后在硅片表面形成小于2nm厚度的SiO2薄膜層;e、熱處理,將沉積后的多晶硅片在400℃溫度下進行退火處理;f、測試,對多晶硅片進行穩定狀態下的少子壽命測試。本發明通過硅片的前期濕-熱處理,在硅片表面形成了一個極薄的SiO2薄膜,且這層薄膜中富含水汽所帶來的羥基,為與氧化鋁中的氧原子的結合提供了很好的化學結構基礎,有效地提升了硅片鈍化效果及穩定性。
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