本發明公開了一種具有納米結構的非晶氧化物半導體薄膜,該薄膜包括連續薄膜層和納米結構層,連續薄膜層直接生長在襯底上;納米結構層為連續薄膜層的縱向自然延伸,呈現間隔分布的凸起峰和凹陷坑。該薄膜為非晶氧化物半導體ZnTiSnO薄膜。本發明還公開了該薄膜的制備方法,采用溶液化學方法,步驟包括將Zn(NO3)2·6H2O、SnCl2·2H2O+NH4NO3及C12H28O4Ti+NH4NO3分別溶解于二甲氧基乙醇溶劑中,分別加入乙酰丙酮、氨水溶液配成前驅體溶液,配得溶膠,然后旋涂于襯底上,并退火處理。該非晶氧化物半導體薄膜因為具有納米結構,具有大的比表面積,有望應用于生物傳感、氣敏、紫外探測等領域。
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