本發明是關于一種監控晶圓缺陷的方法。該方法是首先提供一晶圓,該晶圓上存在有一缺陷,接著進行一化學處理步驟,以擴大晶圓上的缺陷,之后在晶圓上形成一共形材料層,然后使用掃描儀器找出晶圓上的缺陷。本發明因為采用化學處理步驟,以擴大晶圓上的缺陷處,因此可以彰顯晶圓上的缺陷處,突破了現有的掃描儀器的偵測極限,能夠及早反應出產品上小于奈米級以下的缺陷,不需額外添購昂貴的掃描儀器,即可達到比原先只利用掃描儀器例如是亮場檢知器(Bright field inspector)更好的效果。
聲明:
“監控晶圓缺陷的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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