一種氧化物的刻蝕工藝的監測方法,所述方法包括:提供半導體襯底,所述半導體襯底的表面形成有氧化物;刻蝕去除所述氧化物的至少一部分;采用化學溶液清洗所述半導體襯底的表面,所述化學溶液能夠與所述半導體襯底反應,而未能與所述氧化物反應;檢測清洗后的半導體襯底的表面,以確定是否存在殘留的氧化物。本發明方案可以更準確地檢測到氧化物刻蝕缺陷,從而及時地確認刻蝕工藝的異常狀況,有助于保證產品良率。
聲明:
“氧化物的刻蝕工藝的監測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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