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單片晶圓測試多臺設備的方法

1129   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 07:25:17
本發明公開了一種單片晶圓測試多臺設備的方法,包括以下步驟:應力測試儀對裸硅晶圓進行應力前置測試,獲取前置應力值;將裸硅晶圓置入化學氣相沉積設備中,對應力測試后的裸硅晶圓沉積氮化硅,膜厚測試儀對沉積氮化硅的硅晶圓進行膜厚和折射率測試,獲取氮化硅膜厚和折射率作為化學氣相沉積設備測機參數,以及應力測試儀對沉積氮化硅的硅晶圓進行后置應力測試,獲取第一后置應力值。本方案省去多道傳統檢測工藝步驟,簡化測機工藝流程,縮短了檢測周期,減少測機片的使用,提高檢測效率。
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