本發明涉及一種孔結構化學機械研磨方法及半導體器件的制造方法,所述孔結構化學機械研磨方法包括:獲取形成有孔結構的半導體結構,所述半導體結構上形成有孔填充金屬,所述半導體結構包括所述孔填充金屬下的阻擋層和所述阻擋層下的氧化層,所述孔填充金屬填入所述孔結構中;對所述孔填充金屬進行第一化學機械研磨,以終止點監測的方式設定第一信號窗口,將研磨終止點設定在所述孔填充金屬與所述阻擋層的過渡界面;在所述第一化學機械研磨之后進行第二化學機械研磨,去除所述阻擋層,以終止點監測的方式設定第二信號窗口,將研磨終止點設定在所述阻擋層與所述氧化層的過渡界面。本發明能夠降低第一電介質層的厚度和均勻性受外界因素影響的波動。
聲明:
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