本發明公開的一種SiC單晶納米尺度的等離子體電化學拋光方法,首先將將SiC單晶放在濃H2SO4和H2O2的混合溶液中里浸泡;其次,測量SiC單晶待拋光面的表面粗糙度,確定出疏化層的厚度;然后,在水基電解液中,以SiC單晶為陽極,不銹鋼為陰極,根據疏化層的厚度,控制電壓調制O2?的離化率,通過O2?活化電解改性SiC表面,在SiC表面生成疏化層;最后使用軟磨料CeO2去除表面生成的疏化層后,重復電解拋光工序清洗干燥即可。本發明公開的方法通過用等離子體電化學在材料表面生成疏化膜,降低表面硬度后采用軟性磨粒去除,避免材料產生脆性斷裂等機械損傷表面無化學殘留,提高表面拋光質量的同時兼顧拋光效率。
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