本發明涉及一種具有各向異性的硅量子點薄膜的制備方法,公開了一種調整元素成分變化產生不同的應變能誘導各向異性的多形態硅量子點形成,進而調整其吸收光譜范圍,并顯著提高所用材料光電轉換效率的技術方法。主要步驟如下:首先,鍍膜前預處理,然后利用Ar離子對不同成分比例的硅鍺合金靶和碳靶進行磁控共濺射,調整硅鍺和碳靶的濺射功率,在硅和玻璃基體上沉積成分可控的非晶碳化硅鍺薄膜;再后,在氮氣氣氛中分階段退火處理,形成鑲嵌在非晶SiC內部具有各向異性的多形態硅量子點薄膜。此類薄膜擁有多激子效應,同時在1800nm(紅外光)至300nm(紫外光)的波長范圍內具有多波長光吸收特征,有望大幅提高硅基光伏器件的光吸收和光電轉換效率。
聲明:
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