本發明提供了一種基于硫化鎢納米片的阻變存儲器及其制備方法,所述憶阻器的結構從下到上依次包括Pt襯底、在所述Pt襯底上形成的第一ZrO2阻變層、在所述第一ZrO2阻變層上形成的WS2納米片介質層、在所述WS2納米片介質層上形成的第二ZrO2阻變層以及在所述第二ZrO2阻變層上形成的Ag電極層。本發明提供的阻變存儲器通過性能檢測證明其具有良好的阻變特性,呈現出較為穩定的阻值變化,高電阻值和低電阻值之間相差較大,不容易造成誤讀,而且該WS2納米片阻變存儲器在高阻態和低阻態下的抗疲勞特性均比較優異。
聲明:
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