本發明公開了一種通過原位化學氣相沉積來生長鹵化物鈣鈦礦納米晶的方法,方法包括步驟:將鹵化鉛粉末和鹵化銫粉末研磨混合獲得固相前驅體;將固相前驅體和介孔分子篩相互混合;將混合粉末放在氮氣氛圍中加熱,使固相前驅體升華為氣態并被吸附進介孔分子篩的孔道內;降低溫度,使氣相鉛、銫和鹵素原子在分子篩孔道內原位反應并形成鹵化物鈣鈦礦納米晶。本發明通過在分子篩孔道中原位氣相生長Cs4PbBr6和CsPbBr3混合相,利用Cs4PbBr6來鈍化CsPbBr3的表面缺陷,使CsPbBr3納米晶的熒光量子產率達到90%以上,大大提高了其發光性能。同時,本發明通過調整鹵化鉛和鹵化銫中的鹵素種類,獲得不同發光顏色的鹵化物鈣鈦礦納米晶,包括綠光CsPbBr3納米晶、藍光CsPbClxBr3?x納米晶、紅光CsPbI3納米晶。
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