本發明公開一種含貴金屬固體廢物的無氰回收方法,所述固體廢物為含有夾層鋁和貴金屬的半導體器件,本方法包括回收其中的貴金屬,包括以下步驟:將半導體器件浸入含有堿溶液的超聲波浸泡槽中,開啟超聲波,使含貴金屬的鍍金層從半導體器件上剝離,形成含有貴金屬的貴金屬渣。由于含有夾層鋁和貴金屬的半導體器件,如半導體LED芯片的夾層鋁位于鍍金層的下層,只將器件浸入堿液的溶解方式難以使得堿液充分與夾層鋁接觸并反應。因此本發明通過超聲波強化溶解的方式,借助超聲波的聲空化效應,形成局部的瞬間高溫和高壓溶解條件,促進夾層鋁的溶解。
聲明:
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