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紫外LED芯片

853   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 00:52:34
本實用新型涉及一種紫外LED芯片,包括依次設置的P型氮化鎵層、量子井層、N型氮化鎵層、透明襯底層以及透明過渡層;所述透明過渡層的數量為至少兩層,所有透明過渡層的折射率均在1?1.76之間,且所述透明過渡層的折射率往遠離所述透明襯底層的折射率逐漸減??;其中,所述透明過渡層為二氧化硅、氟化鋇、氟化鈣、氟化鎂或氟化鋰中的一種。本實用新型提供的紫外LED芯片,通過所述透明過渡層的設置,減小了所述透明襯底層與空氣之間的折射率階梯,使得折射率緩慢過渡,減小全反射,提高出光效率。
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