一種制作至少一個半導體器件的方法,它包括下 列步驟:提供一個鋁酸鋰(LiAlO2) 的犧牲性生長襯底;鄰近犧牲性生長襯底形成至少一個包括III 族氮化物的半導體層;將安裝襯底與犧牲性生長襯底相反地固 定到至少一個半導體層附近;以及清除犧牲性生長襯底。此方 法還可以包括將至少一個接觸與安裝襯底相反地加入到至少 一個半導體層的表面上,并將安裝襯底和至少一個半導體層分 割成多個獨立的半導體器件。為了制作最終的器件,此方法還 可以包括將各個獨立的半導體器件的安裝襯底鍵合到熱沉。清 除犧牲性襯底的步驟可以包括對犧牲性生長襯底進行濕法腐 蝕。
聲明:
“Ⅲ族氮化物器件的制作方法以及由其制作的器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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