一種三元銅基硫化物半導體納米材料是采用溶劑熱法配制不同計量比的納米尺寸三元銅銻硫化物,以無機銅鹽、無機銻鹽和硫源為原料,通過中溫加壓一步反應制備三元硫化物粉體。本發明操作簡單,步驟較少,原料價廉易得,對不同原料的選擇具有強的適用性,制備過程產品易得,產品粒徑細小并且晶粒不會長大,反應過程不會出現爆炸導致制備失敗,利于工業化大規模生產,產率高,可高達86.2%,產物相純度高,雜質少,純度可高達97.8%,普適性強,工藝穩定,生產穩定性好,克服了傳統制備方法中需要長時間高溫處理的缺點,本發明制備的納米三元硫銻銅材料可廣泛應用于鋰電池、熱電、光電等能源領域。
聲明:
“三元銅基硫化物半導體納米材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)