本發明涉及一種以石墨烯為模板低溫熔鹽法合成二維SiC超薄納米結構及其制備方法。該方法以Si粉為原料,以石墨烯為模板,以NaCl和NaF混合物為熔鹽介質,在一定的氣氛和1050℃~1200℃低溫條件下通過熔鹽法進行合成,隨后用水對含有熔鹽的產物分別進行溶解、離心、過濾等反復操作3?6次,將殘存的熔鹽去除,干燥后即可得到本發明所述的二維SiC超薄納米結構半導體材料。制備n型SiC二維超薄納米結構材料時,選擇在N2氣氛下控制工藝對合成SiC進行摻N;制備p型SiC二維超薄納米結構材料時,選擇在Ar氣氛下原料中添加B、Al、Ga或Be作為摻雜劑。本發明制備的二維SiC納米結構可用于在高溫、高輻射、強腐蝕性等惡劣環境的高頻和高功率微電子器件及鋰離子電池負極材料。
聲明:
“以石墨烯為模板熔鹽法合成二維SiC超薄納米結構及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)