本發明提供了一種c軸取向鈮酸鋰晶體薄膜的制 備方法,該方法是采用脈沖激光沉積,以非晶SiO2薄膜作為緩沖層在硅單晶襯底上生長c軸取向LiNbO3晶體薄膜,其步驟如下:首先采用熱氧化技術在硅襯底上生長出非晶SiO2薄膜;然后以氧化后的硅為襯底,以等化學計量比LiNbO3多晶陶瓷或富鋰LiNbO3多晶陶瓷為靶材,放入脈沖激光沉積設備的真空室中,靶材與襯底之間距離在3-5cm,通入高純氧氣進行沉積,氧壓保持在10-50Pa,激光頻率在1-7Hz,沉積溫度在500℃-650℃,生長c軸取向LiNbO3晶體薄膜。本發明方法制備工藝簡單,所得LiNbO3晶體薄膜具有良好的c軸擇優取向性。
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