本發明公布了一種鉭酸鋰薄膜離子束增強沉積制備工藝方法,涉及功能材料薄膜的制備技術。該工藝方法選用以高純度醋酸鋰與五氧化二鉭經過壓制燒結而成濺射靶,用高純Ar氣產生的氬離子束對靶材進行轟擊,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上濺射沉積均勻、致密、與襯底粘附良好、與CMOS工藝兼容、低介電損耗、低漏電、高剩余極化強度的鉭酸鋰薄膜。所制備的鉭酸鋰薄膜,結晶擇優取向為、;剩余極化強度在10-20μC/cm2之間;在測試電場400kV/cm作用下漏電流為4.76×10-8A/cm2;介電損耗為0.045。
聲明:
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