本發明屬于新材料技術以及新能源技術領域,提供了一種提高碳基鈣鈦礦太陽能電池性能的方法,具體是將缺陷控制的碳納米管與有機p型半導體混合制備的空穴傳輸材料旋涂在鈣鈦礦層表面,隨后沉積碳電極,組裝成的碳基鈣鈦礦太陽能電池。本發明中通過控制碳納米管的缺陷態密度調控載流子輸運特性,通過調節空穴傳輸層中碳納米管的含量改善薄膜表面粗糙度、功函數和載流子遷移率,優化空穴傳輸層與碳電極的界面接觸和能級匹配,提高了碳基鈣鈦礦太陽能電池的光電轉換效率,同時具有制備方法簡單、穩定性高、成本低廉、普適性優的特點。本發明可以推動碳基鈣鈦礦太陽能電池的實用化,加速鈣鈦礦太陽能電池的產業化進程,具有重要的實用價值和經濟價值。
聲明:
“提高碳基鈣鈦礦太陽能電池性能的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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