本發明涉及微納光電探測器設計與制備的技術領域,一種界面鈍化的二維鈣鈦礦光電探測器,該二維鈣鈦礦光電探測器是基于傳統平面倒置結構(現有技術),即:ITO/PTAA/(PEA)2(MA)4Pb5I16/PCBM/BCP/Ag,在空穴傳輸層PTAA與二維鈣鈦礦活性層(PEA)2(MA)4Pb5I16之間加入2 nm厚度的氧化鋁絕緣層。本發明還涉及該界面鈍化的二維鈣鈦礦光電探測器的制備。
聲明:
“界面鈍化的二維鈣鈦礦光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)