本發明提供了一種高介電聚合物基鈦酸鋇納米復合材料的制備方法,該方法把具有核?殼結構的超支化聚酰胺包覆鈦酸鋇納米顆粒作為填料,把偏氟乙烯?三氟乙烯?三氟氯乙烯共聚物(PVDF?TrFE?CFE)當作樹脂基體。制備的BT@HBP納米復合材料具有優異的介電性能,尤其是填料含量較高時。當鈦酸鋇的體積分數為40‰的時候,BT@HBP40的介電常數在1kHz時高達1485.5,遠高于含有相同鈦酸鋇的BT納米復合材料的介電常數(206.3)。和逾滲體系不同,BT@HBP/PVDF?TrFE?CFE復合材料即使在高填充時,依然保持足夠的擊穿強度,使得該材料在較低電壓下就能獲得高的儲能密度。本發明提供的一種高介電聚合物基鈦酸鋇納米復合材料的制備方法,制造的納米復合材料在儲能應用中有一定的實用價值。
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“高介電聚合物基鈦酸鋇納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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