本發明提供了一種氮摻雜圓形碳片與錫氧化物復合材料是圓形結構上鑲嵌著有量子點錫氧化物的氮摻雜碳片;該圓形碳片的直徑為2?10微米,并且部分碳片與碳片之間是緊密聯接著,同時錫的氧化物尺寸大小為2?10nm,并且鑲在圓形碳片上。該氮摻雜圓形碳片與錫氧化物復合材料在半導體傳感器上的應用,能夠提高SnO2材料穩定性、增加材料的熱穩定性和化學性能(包括活性位點等),從而提高半導體傳感器的靈敏度和使用壽命。本發明提供的氮摻雜圓形碳片與錫氧化物復合材料的制備方法,具有操作簡單,原料易得,實驗條件適宜,制備時間較短等特點,易于產業化推廣應用。
聲明:
“氮摻雜圓形碳片與錫氧化物復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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