本發明公開了一種實現薄膜晶體管防護的制備方法。本發明先在有源層上方旋涂一層較薄的阻擋層,然后通過一種打印刻蝕的方式,利用導電墨水的溶劑對阻擋層進行定位刻蝕,在外向馬朗格尼流動下,絕緣的阻擋層溶質被遷移到外圍,而中心形成了較薄且均勻平坦的電極層,進而改善了有源層與導電層之間的界面接觸,同時實現了TFT器件的有效防護,工藝簡單、耗時短且適于大面積制備。
聲明:
“實現薄膜晶體管防護的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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