本發明公開了一種具有選擇性探測功能的自供電人造光電突觸及其制備方法,順序地在SiO2/Si襯底上生長一層聚合物介電層和兩層不同的超薄半導體光響應層,其中上層超薄半導體光響應功能層半覆蓋在下層超薄半導體光響應層上形成非對稱異質結,然后利用非侵入性金膜轉移工藝將金膜分別轉移到下層和上層半導體光響應功能層上作為源極和漏極,完成具有選擇性探測功能的自供電人造光電突觸的制備。本發明的具有選擇性探測功能的自供電光電突觸通過耦合光伏效應和界面電荷捕獲行為,可以實現在不加任何電壓的情況下選擇性地探測并處理紫外光,同時在加電壓的情況下具有寬譜探測的能力,可以模擬視網膜的感知以及信號處理功能。
聲明:
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