本發明公開了一種抗輻射封裝加固的CMOS器件及其制備方法,屬于功能材料制備技術領域。本發明解決了現有屏蔽材料無法有效解決CMOS器件受到總劑量效應影響后導致閾值電壓的絕對值增大、甚至性能失效等問題。本發明首先將稀土金屬氧化物與高Z金屬材料進行復合,形成核殼結構,再將復合顆粒與樹脂基體復合,涂覆于CMOS器件表面,制備成抗封裝加固的輻射防護涂層。本發明制備的核殼結構復合顆粒在樹脂基體中分散開后,會在微觀結構上形成不同材料多層交替的結構,實現射線在材料中的交替穿透,使材料具備更好輻射屏蔽能力的同時,簡化了多層交替材料的制備工藝。
聲明:
“抗輻射封裝加固的CMOS器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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