本發明屬功能材料制備技術領域,涉及一種窄帶隙二氧化錫半導體納米材料的制備方法,向草酸水溶液中滴加氯化亞錫的甲醇溶液,在恒溫并且攪拌的條件下反應直到前驅物沉淀生成,過濾、水洗、干燥,然后在馬弗爐進行熱處理即獲得窄帶隙二氧化錫半導體納米材料。本發明工藝簡便易行,純度高,雜質含量低,產品制備成本低,性能優異,可以工業化批量生產。本發明制備的目的產物窄帶隙二氧化錫半導體納米材料的禁帶寬度為2.4~2.6?eV,具有良好的導電、隔熱、透明,以及光催化等性能。
聲明:
“窄帶隙二氧化錫半導體納米材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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