本發明涉及金和鎳摻雜單晶硅片式熱敏電阻,該熱敏電阻采用涂源高溫擴散方法,將過渡金屬元素金和鎳作為摻雜劑,摻入N型單晶硅中,利用金和鎳在N型單晶硅中的電補償性質,制備出負溫度系數熱敏材料,然后在精密劃片機上劃片,芯片兩端制作電極,其電極采用鎳、銀兩層結構,實現了硅晶體和電極之間的歐姆接觸。所用硅熱敏功能材料以單晶硅半導體為基礎,摻雜金和鎳金屬原子,形成深能級俘獲中心,使材料產生熱敏特性,經過嚴格控制摻雜原子在硅中的濃度及其分布,易于實現用氧化物陶瓷熱敏材料難以實現的高B值低阻值元件,并提高熱敏材料和元件的一致性、重復性、穩定性。
聲明:
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