本發明公開了一種金剛石基場效應晶體管的制備方法,涉及半導體技術領域。該方法包括以下步驟:在金剛石層的上表面形成導電層;在所述導電層的上表面覆蓋掩膜層;去除無源區域對應的掩膜層和導電層;分別去除源區對應的掩膜層和漏區對應的掩膜層;分別在所述源區和所述漏區形成源區高摻雜區和漏區高摻雜區;分別激活所述源區高摻雜區、所述漏區高摻雜區和所述導電層的載流子;分別在所述源區高摻雜區的上表面和所述漏區高摻雜區的上表面覆蓋第一金屬層,形成源極和漏極;在柵區對應的掩膜層的上表面覆蓋第二金屬層,形成柵極。本發明能夠提高器件的耐擊穿特性,降低器件的歐姆接觸電阻。
聲明:
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