本申請涉及一種高純深紫外鍍膜用HfO2材料的燒結提純工藝,該工藝包括:提供HfO2原料、Hf粉原料、分散劑和添加劑,并混合均勻得到粘稠狀混合物,各組分的比例為80?90:0?20:1?10:1?10;干燥;過篩;制成坯料;脫脂并干燥;進行真空燒結,升溫至1900?2400℃并保溫200?300min,然后自然冷卻到室溫,在原料中添加Hf,保證材料中的Hf和Zr都處于亞氧化的狀態,將燒結溫度提高到ZrO2?x相熔點以上且低于HfO2?x相的熔點,在該溫度下HfO2?x相依然為固體,液化的Zr元素逐漸流出材料,富集在材料表面,并逐漸揮發,以實現Zr/Hf分離;同時高溫燒結后的HfO2結構更致密,更利于材料排出雜質,提純得到的HfO2材料中的Zr含量小于0.1%,明顯提高HfO2材料的深紫外光學性能和抗激光損傷性能。
聲明:
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