權利要求
1.利用多晶硅切割廢料在低溫下制備SiO2-Si3N4復合陶瓷的方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將多晶硅切割廢料純化處理,得到純化后的多晶硅切割廢料,其中Si純度為2N級別;
(2)多晶硅切割廢料的氮化處理:
在步驟(1)得到純化后的多晶硅切割廢料中加入稀釋劑,球磨混合后,進行氣氛氮化,氮化反應后得到氮化產物;
(3)SiO2-Si3N4復合陶瓷的氨化燒制
將步驟(2)中的氮化產物用研缽研磨,添加一定比例的SiO2、C、燒結助劑,球磨至物料混勻,烘干物料,冷等靜壓成型得到氨化前樣品;在氣氛管式爐設備中通入氨化氣體后,程序升溫至氨化反應的溫度,恒溫反應一段時間,氨化反應結束后,程序降溫到室溫,得到SiO2-Si3N4復合陶瓷。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(1)中,多晶硅切割廢料的純化處理過程為:多晶硅切割廢料經烘干、粉碎、沖洗雜質、再次烘干、研磨、過篩得到粉體的過程。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(2)中,所述稀釋劑為α-Si3N4或β-Si3N4,添加量不超過純化后的多晶硅切割廢料質量的20%。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(2)中,所述氮化反應中,氮化氣體為氮氣或氮氫混合氣中的一種,其中,氮氫混合氣中,氮氣和氫氣的體積比在75:25-95:5之間。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(2)中,所述氮化反應中,氮化設備采用程序控溫的氣氛管式爐,確保爐內溫度以1-5℃/min的速度升溫至1200-1450℃,然后恒溫0.5-2.5h。
6.如權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(3)中,氮化產物用研缽研磨至300目以下。
7.如權利要求1所述的方法
聲明:
“利用多晶硅切割廢料在低溫下制備SiO2-Si3N4復合陶瓷的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)