權利要求書： 1.一種太陽能電池的制作方法，該太陽能電池包括一第一導電類型襯底，其特征在于，該制作方法包括以下步驟：
步驟S1：在該第一導電類型襯底的一表面上形成氧化層；
步驟S2：在該氧化層上形成多晶硅；
步驟S3：采用第二導電類型摻雜元素對該多晶硅進行選擇性摻雜以形成重摻雜區和輕摻雜區；
步驟S4：熱處理步驟S3所得的結構；
步驟S5：采用堿性試劑選擇性蝕刻步驟S4所得的多晶硅；
步驟S6：在重摻雜區上形成電極，其中，步驟S3包括以下步驟：步驟S31：設置阻擋層，該阻擋層包括鏤空區域，該阻擋層設置于束流和工件傳輸裝置之間，該束流的傳輸方向垂直于該工件傳輸裝置的傳輸平面；
步驟S32：工件傳輸裝置傳輸步驟S2所得的待注入結構通過束流以通過離子注入形成選擇性摻雜，
其中該鏤空區域用于形成該重摻雜區，束流在該傳輸平面上的投影與入口端的該鏤空區域在該傳輸平面上的投影部分重疊，該入口端為該鏤空區域的靠近待注入結構的一端，步驟S5中堿性試劑對重摻雜區和輕摻雜區的刻蝕速率之比為1：5-1：100。
2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S5蝕刻后輕摻雜的多晶硅的厚度小于10nm。
3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S5蝕刻后重摻雜的多晶硅的厚度為
10nm-300nm。
4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟S1之前還包括：步驟S0：在該第一導電類型襯底的一表面中形成第二導電類型摻雜層；
步驟S1：在該第二導電類型摻雜層上形成該氧化層。
5.如權利要求1-4中任意一項所述的制作方法，其特征在于，步驟S3中重摻雜區的離子注入劑量為1e15-2e16/cm2。
6.如權利要求1-4中任意一項所述的制作方法，其特征在于，步驟S3中輕摻雜區的離子注入劑量為1e14-5e15/cm2。
7.如權利要求1-4中任意一項所述的制作方法，其特征在于，步驟S4中熱處理在700℃-
1000℃、氮氣和/或氧氣氣氛下進行，熱處理時間1-60分鐘。
8.如權利要求1-4中任意一項所述的制作方法，其特征在于，步驟S5中堿性試劑為NaOH、KOH或TMAH。
9.一種太陽能電池的制作方法，該太陽能電池包括一第一導電類型襯底，其特征在于，該制作方法包括以下步驟：
步驟S1：在該第
聲明：
“太陽能電池的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：上海凱世通半導體股份有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
