在半導體材料領域取得重大技術突破，合盛硅業下屬寧波研發中心成功開發出12英寸導電型碳化硅單晶生長工藝。這項歷時多年的技術攻關，覆蓋了高純石墨提純、多晶粉料合成、單晶生長及襯底加工等完整產業鏈環節。??
碳化硅作為第三代半導體材料的代表，因其優異的耐高溫、高壓特性，正在
新能源汽車、
光伏逆變器等領域快速普及。12英寸大尺寸晶圓的量產，將顯著降低器件制造成本，提升生產效率。合盛硅業通過優化熱場設計和生長參數，解決了大直徑晶體生長過程中的應力控制難題。??
在配套加工環節，研發團隊同步推進了切割、研磨和拋光工藝的開發。針對碳化硅材料硬度高、加工難度大的特點，創新采用激光輔助切割技術，將晶圓加工良率提升至行業領先水平。這些技術突破為后續8英寸產線向12英寸升級奠定了工藝基礎。??
目前，全球碳化硅襯底市場主要由歐美日企業主導。合盛硅業此次技術突破，標志著我國在該領域實現了從追趕到并跑的轉變。公司計劃在未來兩年內建成12英寸碳化硅襯底量產線，預計年產能可達5萬片。??
除導電型產品外，研發團隊還在開發半絕緣型碳化硅襯底。這類材料在5G通信、雷達等高頻應用場景具有不可替代的優勢。通過持續優化晶體缺陷密度和電學性能，產品已通過多家頭部器件廠商的初步評估。??
碳化硅產業鏈的快速發展，正帶動相關裝備和材料需求激增。合盛硅業正與國內設備廠商合作，共同開發專用長晶爐和加工設備，推動整個供應鏈的國產化進程。隨著新能源汽車800V高壓平臺的普及，碳化硅功率器件市場將迎來爆發式增長，這對上游材料企業提出了更高要求。??
業內人士表示，大尺寸碳化硅晶體的量產，將有效緩解目前的市場供需矛盾。合盛硅業憑借在硅基材料領域的技術積累，正逐步構建起覆蓋碳化硅全產業鏈的競爭優勢，為國內半導體材料自主可控提供新的解決方案。
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湖北 - 武漢
2025年07月23日 ~ 26日
