本發明一種碳化硅晶片的拋光液,其中各組分所占重量百分比為:二氧化硅拋光液10-30%,粒徑為50-100nm;納米級金剛石研磨液0.1-10%,粒徑為50-200nm;輔助氧化劑3-20%;pH調節劑0.5-10%;去離子水為余量;混合后的所述碳化硅晶片的拋光液pH值范圍為7-9。適用于對SiC晶片進行化學機械拋光。該拋光液的特點是去除速率快(可在1-3小時內完成)、加工出的碳化硅晶片較光亮,表面強光燈觀測無明顯劃痕且平整、均勻,表面粗糙度經原子力顯微鏡檢測可穩定達到<0.3nm。
聲明:
“碳化硅晶片的拋光液” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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