本發明公開一種有機單晶半導體結構及其制備方法,所述的有機單晶半導體結構包括襯底,自下而上沉積在襯底上的輔助生長層、電極、有機單晶半導體層;所述的有機單晶半導體層為跨越電極前后形貌基本不變的的有機半導體單晶薄膜,所述的有機半導體單晶薄膜能夠在任意形狀和任意尺寸的底接觸型襯底上實現全覆蓋,獲得了在工業化規模上近乎理想的形貌。該有機單晶半導體結構可以用作有機場效應晶體管的關鍵部分,實現載流子的快速傳輸。本發明在該半導體結構的基礎上,還提供一種制備方便、性能高效的有機場效應晶體管器件,在有機光電領域有良好的應用前景。
聲明:
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