本發明提供了一種基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器,包括SiO2/Si基底以及設置于SiO2/Si基底上的對電極,所述對電極之間設置成溝道;所述溝道上設置有ReSe2/CsPbI3異質結層,且所述ReSe2/CsPbI3異質結層延伸至與對電極連接,所述ReSe2/CsPbI3異質結層包括二維ReSe2納米片以及設置于所述二維ReSe2納米片上的CsPbI3鈣鈦礦量子點。本發明基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器在可見光波段借助于CsPbI3鈣鈦礦量子點的光生電子效應表現出各向同性的特征,而在近紅外波段CsPbI3鈣鈦礦量子點可視作透明材料,借助于二硒化錸納米片的光生電子效應和各向異性效應,從而表現出各向異性特性。本發明還提供了基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器的制備方法。
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“基于ReSe2/CsPbI3鈣鈦礦量子點雜化的寬譜光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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