本發明涉及一種基于Ga2O3/鈣鈦礦異質結的光電探測器的制備方法,包括:選取半絕緣半透明襯底;在所述襯底表面淀積形成底電極;在所述底電極表面淀積Ga2O3層;在所述Ga2O3層表面旋涂鈣鈦礦層;在所述鈣鈦礦層表面淀積形成頂電極,以完成所述光電探測器的制備。本發明提供的基于Ga2O3/鈣鈦礦異質結的光電探測器,可以探測從深紫外到近紅外的寬范圍光譜;具有較高的響應度和探測率,同時具有低的暗電流密度和高的外量子效率;該探測器結構簡單、效率高、響應快、工作穩定、使用壽命長,生產成本低,無需昂貴的儀器設備等優點。
聲明:
“基于Ga2O3/鈣鈦礦異質結的光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)