本發明公開了一種低損耗抗彎曲單模光纖及其制造方法,該光纖從內到外依次包含芯層、內包層與外包層,芯層的相對折射率差Δ1為0.37%~0.42%,內包層的相對折射率差Δ2為?0.45%~?0.25%,外包層的相對折射率差△3為?0.05%~0%。本發明中,芯層相對折射率差自內而外由Δ1下降為Δ2,降低了彎曲狀態下折射率剖面的畸變程度,進一步優化了芯包粘度匹配,減小了拉絲過程中缺陷的產生,以降低光纖的損耗值,增加光纖的抗彎曲性能,內包層的相對折射率差自內而外由Δ2上升為Δ3,使光纖的芯層、包層粘度到達較好的匹配,降低芯包間應力,同時符合ITU.T G.657.A和ITU.T G.652.D光纖標準。
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