本發明提供了一種PtSe2/CsPbI3異質結光電探測器,包括硅基底以及設置于所述硅基底上的二氧化硅絕緣層,所述二氧化硅絕緣層上設有二硒化鉑層,所述二硒化鉑層上設有CsPbI3鈣鈦礦量子點層;所述二硒化鉑層上還設有對電極,所述對電極設于CsPbI3鈣鈦礦量子點層的兩側。本發明還提供了PtSe2/CsPbI3異質結光電探測器的制備方法和應用。本發明PtSe2/CsPbI3異質結光電探測器利用二硒化鉑的高遷移率彌補鈣鈦礦量子點光電探測器響應慢的缺陷,同時鈣鈦礦量子點的高光吸收效率也彌補了二硒化鉑光吸收率低的問題,通過將二硒化鉑與鈣鈦礦量子點的互補作用,優化了PtSe2/CsPbI3異質結光電探測器的導電性和光響應特性。
聲明:
“PtSe2/CsPbI3異質結光電探測器及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)